n3b工艺和n3e工艺区别？

N3B工艺和N3E工艺是台积电生产的两种不同的芯片制造工艺，它们的主要区别在于逻辑密度、性能和功耗方面。

具体来说，N3B工艺的逻辑密度比N3E工艺更高，但良率和金属堆叠性能较差，实际的性能、功耗、量产良率和进度等都未能达到预期。而N3E工艺则修复了N3B工艺的缺陷，降低了金属间距密度，没有在M0、M1和M2金属层上使用多重图案化EUV，而是退回并切换到单一图案化。虽然逻辑密度略微降低，但这是在保持功耗和性能数据相似的同时实现的。据台积电的数据推测，N3E工艺相比N3B工艺不仅在性能、功耗表现上更为出色，同时良率也更高，成本也更低。

因此，苹果计划在2024年将A17芯片的工艺从N3B转向N3E，以降低生产成本。这意味着不同批次的A17芯片可能会有能效方面的差距，但对于用户的实际体验可能影响不大。